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#div-gpt-ad-1503996040247-0 > div { margin: auto; display: block !important; }交大表示,張懋中1990年於美國洛克威爾科學中心(Rockwell Science Center)高速電子實驗室與研究團隊完成異質結雙極性高速電晶體(HBT) 與其積成電路的研究與開發,成功量產後成為手機必備發射器元件。其所研發的砷化鎵功率放大器製成的手機信號發射器在全球已超過100億台,成為智慧型手機的首選,對無線通訊產業界及學術界帶來跨時代貢獻。另外,張懋中對高速半導體元件和高頻無線及混合信號電路在通信、雷達、聯結、影像等系統的研究及開發貢獻卓著,在基礎研究和實際應用領域是首屈一指的權威學者。曾榮膺國際電機電子工程學會(IEEE)會士、美國國家工程學院(National Academy of Engineering)院士、美國國家發明家學院(National Academy of Inventors)院士和中央研究院院士殊榮,在國際上具有崇高的學術聲望。英國工程與科技學會(The Institution of Engineering and Technology,IET)是全球工程技術領域最大且具威望的專業學術學會之一,在全球150個國家擁有16.7萬會員。張懋中校長榮獲2017年J_J_Thomson獎章。圖/交大提供 分享 facebook
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